成功展示于TSMC 2026北美技术论坛
台湾新竹 — 2026年 4月 23日 — 先进ASIC领导厂商创意电子(GUC)今日宣布,于TSMC 2026北美技术论坛(North America Technology Symposium)合作伙伴展区,成功展示其采用台积电3纳米制程实现之12Gbps HBM4 IP平台。该平台整合了创意电子自研完整功能之HBM4控制器(Controller)与PHY IP,并结合合作伙伴之HBM4内存,同时采用台积电领先业界的CoWoS®先进封装技术。
创意电子前一代HBM3E 控制器与PHY IP已成功导入客户3纳米产品,其量产实测性能可达规格15%以上。随着JEDEC持续推动HBM技术蓝图,HBM4在带宽与容量上大幅提升,并进一步将数据总线宽度倍增。相较HBM3E,创意电子HBM4 IP可提供2.5倍带宽,同时在功耗效率与面积效率上分别提升1.5倍与2倍。
延续创意电子既有HBM、GLink及UCIe IP解决方案,此次HBM4 IP也整合proteanTecs之互连监测技术,大幅提升PHY测试与特性分析之可观性,并强化终端产品于实际运行时的效能与可靠性。
为适应3D IC架构日益增长的需求,创意电子HBM4 PHY也支持face-up配置,可整合至台积电SoIC face-to-face架构。创意电子在原HBM4 PHY设计中整合TSV(硅穿孔)以支持I/O信号、电源与接地连接,并预留额外TSV供电源穿透至上层芯片,以满足上层逻辑芯片的供电需求。
创意电子技术长Igor Elkanovich表示:「我们很荣幸成为首家在TSMC技術論壇上向客戶展示12Gbps HBM4 IP的公司。结合创意电子的UCIe与GLink-3D IP,我们可为现代3.5D系统架构提供完整的2.5D/3D IP解决方案,包括TSMC SoIC-X on CoWoS。」
12 Gbps Eye Diagram


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