创意电子与韩国半导体大厂 SK 海力士携手合作
2022 年 7 月 7 – 日台湾新竹 – 先进ASIC领导厂商创意电子 (GUC) 宣布，使用 SK 海力士 (SK hynix) 首次发布的 HBM3 样本，完成了 7.2 Gbps HBM3 解决方案的流片验证。该平台于台积电 2022 技术论坛北美场 (TSMC 2022 NA Technology Symposium) 展示，包含 HBM3 控制器、物理层、GLink-2.5D 晶粒对晶粒接口，以及 112G SerDes。此平台可支持台积电 CoWoS-S (硅中介层) 以及 CoWoS-R (有机中介层) 先进封装技术。
此平台包含多个 HBM3 内存、GLink-2.5D 晶粒对晶粒接口以及 112G-LR 通道，打造出符合CPU/GPU/人工智能(AI)/网络(Networking)芯片的使用场境。创意电子除了建立架构并设计 SoC、中介层和 DFT、物理布局、高功率且高速的封装之外，也与台积电合作 CoWoS 封装以及最终测试。
创意电子目前正在申请的专利解决方案，能以任何角度完成 HBM3 IP 和内存之间在中介层上的总线布局布线，同时仍保有与直线型 HBM 总线布局布线相同的信号宽度和空间。与传统的直角锯齿形 HBM 总线布线相比，此专利布线更短、信号完整性更佳、速度更快而且功耗更低。创意电子另一个正在申请专利的解决方案，可将 HBM3 内存总线拆分至位于两个 SoC 芯片上的物理层，以便在 2:6 或 2:10 的 SoC:HBM3 内存使用场境下充分利用 HBM3 的带宽。
创意电子控制器、物理层和平台所使用的 SK 海力士 HBM3，能提供最高 819 GB/s 的带宽。SK海力士DRAM商品企划担当柳成洙表示：「我们验证了这款全球第一个最佳效能的 HBM3，并开始量产。透过这次合作，SK 海力士与创意电子也确认了双方在 HBM 生态系统内的合作关系。我们非常高兴能藉由这次的合作机会，验证全球最佳的 HBM3 解决方案，并巩固双方于 DRAM 市场的领导地位。」
创意电子副总经理徐仁泰博士则表示：「我们很荣幸能与台积电及 SK 海力士合作，展示并证明业界首个 HBM3 解决方案。我们的 HBM3 控制器和物理层，来自于创意电子在 CoWoS/HBM2 产品上长久以来的量产经验。而 7.2 Gbps 的高传输速度，也使得我们能随时满足客户对速度持续不断升级的要求。创意电子的优势，在于我们拥有 HBM3、GLink-2.5D 及 GLink-3D IP 产品组合、CoWoS、InFO_oS、3DIC 设计专业知识、封装设计、电气和热模拟、DFT 结构化设计和生产测试，以及量产制造经验，因此能够协助客户顺利开发 CPU/GPU/AI/网络产品并快速量产。」
创意电子 HBM3 CoWoS 平台的主要特点：
• 全球第一个完整功能并可量产的 HBM3 控制器和物理层，速度达 7.2 Gbps
• CoWoS 中介层和封装设计符合严格的 112G-LR SerDes 规范
• GLink-2.5D 接口，可在 CoWoS 上扩充组合多个 SoC 与 HBM3 内存
• 创意电子正在申请专利的中介层布线，支持任何角度的锯齿形布线，并可将 HBM3 IP 拆分至两个 SoC 上使用
• 支持台积电的 CoWoS-S 以及 CoWoS-R 技术
GUC 使用 SK 海力士 (SK hynix) 首次发布的 HBM3 样本完成 7.2 Gbps HBM3 解决方案的流片验证
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