创意电子采用台积电先进封装技术完成 3 纳米 8.6Gbps HBM3 与 5Tbps/mm GLink-2.5D IP 流片
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台湾新竹—2023 年 4 月 6 日 — 先进特殊应用集成电路 (ASIC) 领导厂商创意电子 (GUC) 宣布，已顺利流片 8.6Gbps HBM3 控制器和物理层以及GLink 2.3LL的测试芯片，将可运用在人工智能 (AI)、高效能运算 (HPC)/xPU及网络应用。GLink 2.3LL 晶粒对晶粒接口提供业界一流的规格，包括 5Tbps/mm 晶粒边缘效率 (2.5T 全双工流量)，功耗仅 0.27pJ/bit，端对端延迟时间更只有 5ns。测试芯片则采用台积电 3 纳米制程流片，并以台积电 CoWoS-R 技术封装。
创意电子已完成台积电 7 纳米及 5 纳米的 HBM3 控制器和物理层 IP ，并支持 CoWoS-S 及 CoWoS-R。这些 IP 均使用 SK 海力士以及三星的 HBM3 内存进行验证。创意电子的 HBM3 IP在随机存取下，带宽使用率可超过 90%。
GLink 2.3LL 支持台积电 InFO_oS 以及 CoWoS-S/R，并通过台积电 5 纳米制程节点的验证。为便于使用 GLink 2.3LL 实体接口，创意电子提供可配置参数的 AXI、CXS 及 CHI 总线网桥。GLink 2.3LL 的 I/O 具备高串扰容忍度，因此可使用 CoWoS/InFO 非屏蔽式布线，有效地将中介层或 RDL 的信号传输线数量扩增为两倍。
HBM 与 GLink 已和 proteanTecs 互连监控解决方案整合，不但能就物理层的测试与特性分析提供高可透视性，还可透过可观测其现场效能与可靠性的特性，增进最终产品的效能。此次的 3 纳米流片，意味着我们能以 7 纳米、5 纳米和 3 纳米供应 GLink/HBM IP 产品组合，且已获得众多 AI、HPC和网络客户导入其产品。
创意电子总经理戴尚义博士表示：「本公司很荣幸能率先全球采用 3 纳米制程技术流片 8.6Gbps HBM3 控制器和物理层 IP，以及效率最高的晶粒对晶粒接口 GLink 2.3LL。我们现已建立完备的 2.5D/3D 小芯片 IP 产品组合，可采用最小达 3 纳米的先进技术。连同我们在 CoWoS、InFO 及 SoIC 设计、封装设计、电气和热模拟、DFT 以及生产测试等领域的专业能力，我们绝对有能力为客户提供最先进的解决方案，协助客户缔造更丰硕的产品和业绩。」
创意电子技术长 Igor Elkanovich 则表示：「我们持续致力推出业界一流的晶粒对晶粒接口，以期推动小芯片革新。我们的 IP 遍及所有台积电的先进制程及3DFabric技术。2.5D 与 3D 封装现在都趋向使用 HBM3、GLink-2.5D/UCIe 及 GLink-3D 接口，这会有助日后研发出高度模块化、以小芯片为基础且远大于光罩尺寸的新一代处理器。」
创意电子 HBM 及 GLink-2.5D IP 重要特色
若要进一步了解创意电子的 HBM3/2E、GLink-2.5D/3D IP 产品组合和 InFO/CoWoS/3DIC 全方位解决方案，请直接联络您的创意电子销售代表，或寄送电子邮件至 guc_sales@guc-asic.com
关于创意电子 GLOBAL UNICHIP CORP. (GUC)
创意电子是先进客制化 IC 领导厂商，使用最先进的制程和封装技术，为半导体产业提供领先的 IC 设计和 SoC 制造服务。公司总部位于台湾新竹，在中国、欧洲、日本、韩国和北美均设有分支机构，并在全球各地享有盛誉。创意电子在台湾证券交易所公开交易，代号为 3443。