創意電子與韓國半導體大廠 SK 海力士攜手合作
台灣新竹 — 2022 年 7 月 7 日 — 先進ASIC領導廠商創意電子 (GUC) 宣布，使用 SK 海力士 (SK hynix) 首次發佈的 HBM3 樣本，完成了 7.2 Gbps HBM3 解決方案的矽驗證。該平台於台積電 2022 北美技術論壇 (TSMC 2022 NA Technology Symposium) 展示，包含 HBM3 控制器、實體層、GLink-2.5D 晶粒對晶粒介面，以及 112G SerDes。此平台可支援台積電 CoWoS-S (矽中介層) 以及 CoWoS-R (有機中介層) 先進封裝技術。
此平台包含多個 HBM3 記憶體、GLink-2.5D 晶粒對晶粒介面以及 112G-LR 通道，打造出符合CPU/GPU/人工智慧(AI)/網路(Networking)晶片的使用情境。創意電子除了建立架構並設計 SoC、中介層和 DFT、實體佈局、高功率且高速的封裝之外，也與台積電合作 CoWoS 封裝以及最終測試。
創意電子目前正在申請專利的解決方案，能以任何角度完成 HBM3 IP 和記憶體之間在中介層上的匯流排佈線，同時仍保有與直線型 HBM 匯流排佈線相同的信號寬度和空間。與傳統的直角鋸齒形 HBM 匯流排佈線相比，此專利佈線更短、信號完整性更佳、速度更快且功耗更低。創意電子另一個正在申請專利的解決方案，可將 HBM3 記憶體匯流排拆分至位於兩個 SoC 晶片上的實體層，以便在 2:6 或 2:10 的 SoC:HBM3 記憶體使用情境下充分利用 HBM3 的頻寬。
創意電子控制器、實體層和平台所使用的 SK 海力士 HBM3，能提供最高 819 GB/s 的頻寬。SK海力士DRAM商品企劃擔當柳成洙表示：「我們驗證了這款全球第一個最佳效能的 HBM3，並開始量產。透過這次合作，SK 海力士與創意電子也確認了雙方在 HBM 生態系統內的合作關係。我們非常高興能藉由這次的合作機會，驗證全球最佳的 HBM3 解決方案，並鞏固雙方於 DRAM 市場的領導地位。」
創意電子副總經理徐仁泰博士則表示：「我們很榮幸能與台積電及 SK 海力士合作，展示並證明業界首個 HBM3 解決方案。我們的 HBM3 控制器和實體層，是奠基於創意電子在 CoWoS/HBM2 產品上長久以來的量產經驗。而 7.2 Gbps 的高傳輸速度，也使得我們能隨時因應客戶對速度持續不斷升級的要求。創意電子的優勢，在於我們擁有 HBM3、GLink-2.5D 及 GLink-3D IP 產品組合、CoWoS、InFO_oS、3DIC 設計專業知識、封裝設計、電氣和熱模擬、DFT 和生產測試，以及量產製造經驗，因此能夠協助客戶順利開發 CPU/GPU/AI/網路產品並快速量產。」
創意電子 HBM3 CoWoS 平台的主要特點：
- 全球第一個完整功能並可量產的 HBM3 控制器和實體層，速度達 7.2 Gbps
- CoWoS 中介層和封裝設計符合嚴格的 112G-LR SerDes 規範
- GLink-2.5D介面，可在 CoWoS 上擴充組合多個 SoC 與 HBM3 記憶體
- 創意電子正在申請專利的中介層佈線，支援任何角度的鋸齒形佈線，並可將 HBM3 IP 拆分至兩個 SoC 上使用
- 支援台積電的 CoWoS-S 以及 CoWoS-R 技術
GUC 使用 SK 海力士 (SK hynix) 首次發佈的 HBM3 樣本完成 7.2 Gbps HBM3 解決方案的矽驗證
==
GUC 提供全方位的 ASIC 設計與製造服務，整合先進製程技術、封裝解決方案與經矽實證的 IP，協助客戶加速產品創新與市場導入。
🔍 深入了解 GUC 的完整能力版圖 —— 從一站式設計服務、高效能 IP，到應用實績驗證的成功案例。
📩 有合作需求或技術交流想法嗎？GUC 隨時與您攜手啟動創新。
👉 聯絡我們
